金屬氧化物薄膜電阻器,這種類型的電阻器是目前使用廣泛的電阻器形式。這種電阻器類型不使用碳膜，而是使用沉積在陶瓷棒上的金屬氧化物膜。與碳膜一樣，可以通過在膜上切成螺旋狀的凹槽來調(diào)節(jié)電阻。再次使用保形環(huán)氧涂層保護薄膜。這種類型的電阻器的溫度系數(shù)約為每攝氏度攝氏+ 15或百萬分之15，這使其性能遠勝于任何碳基電阻器。此外，這種電阻器的容差范圍更小，標準電阻率為5％甚至2％，并提供1％的版本。它們也表現(xiàn)出比碳電阻器低得多的噪聲水平，但是它主要被金屬膜電阻器所取代。

顧名思義，金屬氧化物膜電阻器使用金屬氧化物作為電阻器內(nèi)的電阻材料-盡管可以使用其他氧化物，但常見的是錫氧化物。金屬氧化物電阻器通常是通過加熱陶瓷棒來制造的然后在氯化錫蒸氣中加熱以沉積金屬薄層。然后將其氧化以得到金屬氧化物膜。其他金屬氧化物可以使用不同的工藝。

一個金屬氧化物層被建立，該值是通過使用激光切割氧化物中的螺旋來確定的。這使導電路徑更長，更窄，從而大大增加了電阻。

金屬氧化膜電阻性能

下面給出了金屬氧化物薄膜電阻器的典型性能數(shù)據(jù)，作為性能指南。